Ein großer Teil der eingesetzten GS-Sicherungen hat eine „träge“ Ansprechcharakteristik (tI-Kennlinie). Sie werden überall da verwendet wo Impulsstrom-Belastungen (z. B. durch Einschaltvorgänge) ausgehalten werden müssen. Als Kennwert für die Impulsfestigkeit wird in Datenblättern der I2t-Wert (ein Maß für die, zum Abschalten notwendige, Schmelzenergie). Der I2t-Wert ist vom Durchmesser und Material des Schmelzleiters abhängig. Das trifft allerding auch auf den Nennstrom der Sicherung zu. Ein hoher I2t-Wert bedingt daher auch einen hohen Nennstrom. Um gleichzeitig einen effektiven Überstromschutz zu erreichen muss der Nennstrom reduziert werden. Dazu gibt es verschiedene Möglichkeiten. Die häufigste heute verwendete Methode hat bereits 1939 der Techniker M.W. Metcalf in einem Artikel des „BEAMA JOURNALS (1939), A New FusePhenomenon“ beschrieben. Er fand heraus, dass ein Silberdraht auf den, in der Mitte zwischen den Anschlüssen, eine Lotkugel(n) aufgebracht wurde bei Überstrom deutlich früher schmolz als ohne Lotkugel*. Warum das so ist, wann und wie das Lot mit dem Schmelzleitermaterial reagiert und welche Schmelzleiter-Materialien geeignet sind wurde in den folgenden Jahrzehnten oft und immer wieder untersucht. Die Wirkung des Lotes auf das Schmelzleiter-Material ist von der Belastung und der daraus resultierenden Temperatur sowie vom Material selbst abhängig. Das dynamische Zusammenspiel von Diffusion und Lösung der Materialien ist sehr komplex. Das Wissen darüber ist in vielen Dissertationen, Diplomarbeiten, Büchern und Fachartikeln dokumentiert. Sie sind Basis für viele Optimierungen und Weiterentwicklungen.

Fast alle modernen Schmelzsicherungen nutzen den „M-Effekt“ um einen rel. kleinen Nennstrom mit einem hohen I2t-Wert und damit einen sensiblen Überstromschutz mit einer hohen Impulsfestigkeit zu realisieren.

*Der Begriff „M-Effekt“ ist wahrscheinlich auf den Techniker M.W. Metcalf  zurückzuführen.